【パソナキャリア経由での入社実績あり】
◆高周波デバイス製品の開発におけるプジェクトマネジメント業務、回路開発設計業務、トランジスタ開発設計業務のいずれかをお任せいたします。

【具体的には…】
■プロジェクトマネジメント業務
・新製品の構想設計
・開発とりまとめ
・開発管理（工程、進捗、費用、等）
・製品化設計（標準類の整備、等）
・客先との仕様調整
・関係部門、工場との各種調整
■回路開発設計業務
・各種シミュレータを用いた回路設計、レイアウト設計、熱解析
・製品の特性評価（小信号特性、大信号特性、歪特性、等）
・信頼性評価
・量産検査規格策定
■トランジスタ開発設計業務
・各種シミュレータを用いたトランジスタ構造設計、レイアウト設計、熱解析
・トランジスタの特性評価（DC特性、小信号特性、大信号特性、歪特性、等）
・信頼性評価
・量産検査規格策定

■製品の一例紹介URL（ニュースリリース）
https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2025/0318/
ht

【募集背景】
■1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当所の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、安全保障体制の強化に向けた防衛・宇宙領域の市場拡大への対応、通信トラフィックの急速な増大に向けた通信インフラの性能向上が必要な状況となっております。これらの市場要求に応えるたため、長年社内向け製品の開発で培ってきたトランジスタ開発技術、回路設計技術、高信頼性を確保した製品化技術に対して更なる磨きをかけ、魅力ある高周波デバイス製品を世の中に提供していく仲間を募集します。当部の業務はプロジェクトマネジメントから回路開発設計・トランジスタ開発設計と多岐に渡ります

【組織構成】
高周波デバイス部（45名）
└ 応用技術課（6名）
└ 事業推進第一課（15名）
└ 事業推進第二課（10名）
└ デバイス技術課（10名）

【業務のやりがい】
■当社で開発、生産している高周波デバイスは安全保障、インフラ設備、通信システム等に使用されており、私たちの日常生活を支え、暮らしを豊かにするために不可欠なデバイスです。製品化につながる各種開発業…

勤務地	兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地
給与	年収：500万円～1200万円経験・スキルに応じて変動します

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
◆同社にてウエハプロセスの生産技術、要素技術開発（化合物半導体）業務をお任せいたします。

【職務内容】
■リソグラフィ、転写技術に関するウエハプロセス業務
（レジスト塗布、露光（光学・電子線）、現像、レジスト形状の評価　等）

【具体的な仕事内容】
■担当するリソグラフィ工程は半導体チップのパターンを形成する重要な工程である。リソグラフィ工程でレジストパターン形成後、レジストをマスクとして半導体・絶縁膜・金属膜の加工をするため、ウエハプロセス中心としての役割を担う。従って、連携すべき関連部門は多岐にわたる。
■製品の特性・品質向上を目指し、部材メーカー、設備メーカーとの情報のやり取りや、学会や展示会などに参加し、新規プロセスの開発を考案する。製品の開発や増産の対応を目的として、新規設備の選定/導入/立上げの対応を行う。そして、製品の生産性改善/不具合改善等の量産対応を担当する等、幅広い業務がある。
■個人の能力・技量には限界があり、それらだけに頼る事なく、様々な関連部門・研究部門・外注先メーカー等にも協力を打診して、外のリソースを上手く活用して同時並行で様々な業務を効率良く消化していく。依頼後も適切にフォローし、依頼先から得たアウトプットをまとめ上げる。大きな成果を目指して、関係部門にコミュニケーションを図っていくことが求められる。
■常に新しい事に対して積極的に挑戦する姿勢、外のリソースをコントロールする高い交渉力、最新のアウトプット情報を効果的に利用する応用力、といった力量は、これまでの業務経験を通して獲得された力量を存分に発揮できる、やりがいある業務である。また、不安要素の一つ、担当工程の専門的知識についてはOJT等にて習得可能である。

【募集背景】
■当所で製作している高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、世界的に高い評価とシェアを有しています。さらに新たな市場への進出に向けた製品開発も積極的に進めています。これら先端デバイスの生産には生産技術・要素技術開発が極めて重要であり、成長継続のためウエハプロセス工程の生産技術・要素技術開発を担うエンジニアを募集します。

【組織のミッション】
■ウエハ製造部（290名）
プロセス技術…

勤務地	兵庫県北伊丹地区
給与	年収：500万円～1100万円経験・スキルに応じて変動します

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
◆同社において、光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。

【具体的には…】※業務内容例※
■InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長
・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整
・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など）
■薄膜の評価および解析
・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）
・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化
・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析
● エピ成長条件の最適化と再現性向上
・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）
・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討
・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化
・エピ成長装置のメンテナ・安定動作管理
■新規材料／構造のプロセス開発
・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発
・新デバイス用途への新規材料展開
※将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。

【募集背景】
■1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、通信トラフィックは急速に増大しており、お客様からの期待に応えるため、この度生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになりました。これら最先端デバイスの性能を支える要となるのが、エピタキシャル成長技術です。新規デバイス構造の開発や量産プロセスの高度化に対応するため、エピタキシャル成長分野の実務経験を持つエンジニアを…

勤務地	兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地
給与	年収：500万円～1100万円経験・スキルに応じて変動します