具体的な業務内容
【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【採用背景】
AIの普及やポスト5G時代の到来に伴い、データセンターやIoT機器におけるメモリの消費電力低減は世界的な課題です。NAND型フラッシュメモリで世界トップクラスのシェアを誇るキオクシアでは、既存DRAMの課題を克服する「酸化物半導体トランジスタを用いた新規3Dメモリ(OCTRAM)」の研究開発を推進しています。世界最高峰の半導体学会「IEDM」で2年連続採択されるなど、技術的な優位性の確立に向けた取り組みを進めています。世界最大級の生産基盤を持つ当社だからこそ実現できる「次世代メモリの社会実装」に向け、開発を現場で力強く推進していただく即戦力エンジニアを募集します。
【組織のミッション】
・部門ミッション:高速メモリデバイスの研究開発フェーズを担当し、デバイス検証から製品開発(量産)フェーズへの移管を確実に実行する。
・グループミッション:新規3Dメモリ(OCTRAM)の研究開発において、デバイス検証・構造最適化を行い、製品開発フェーズへの円滑な移管を担う。
※当組織は、キオクシアが誇る世界最大級の四日市工場と直結し、「最先端の研究成果を確かな製品へと変える」という、事業の将来を左右する重要な橋渡しを担っています。
【お任せする業務】
酸化物半導体を用いた新規3Dメモリのデバイス設計、デバイス検討ロットの試作と形状および電気特性評価による特性改善および不良解析と信頼性の改善。
【具体的な仕事内容】
■デバイス設計:TCADを用いてシミュレーションを行い、試作Lotを作成・評価を行い、ターゲット特性を満たすデバイスを設計する
■構造・プロセス設計:新規3Dメモリのデバイス構造およびプロセスフローを検討・設計する
■試作検証:ユニットプロセス(成膜・リソグラフィー・エッチング)や回路設計・インテグレーション担当者と連携し、検討ロットを試作する
■評価・解析:試作チップの電気特性評価、パラメトリック解析、不良解析および信頼性評価を実施する
■改善・最適化:評価データに基づき課題を抽出・原因究明し、デバイス構造やプロセス条件の最適化を推進する
■製品開発移管:デバイスの完成度を高め、後続の製品開発フェーズへの技術移管を進める
【使用ツール】
・SEMulator3D(構造・形状予測、モデリング)
・Senta…
募集条件
| 雇用形態 | 正社員 |
|---|---|
| 求める人物像 |
【必須要件】 以下いずれかの経験3年以上 ■半導体のデバイス研究開発 ■半導体のデバイス・インテグレーション研究開発 ■半導体製造装置の研究開発 【歓迎要件】 □パラメトリックアナライザやメモリテスタ等の半導体デバイス評価ツールの使用経験をお持ちの方 □DRAMやNAND等のメモリデバイス、またはCMOSロジック、パワートランジスタ等の研究開発経験をお持ちの方 □TCADを使用した半導体デバイスの研究開発経験をお持ちの方 □酸化物半導体に関する研究開発経験をお持ちの方 |
| 勤務地 |
三重県四日市市 |
| 給与・待遇・福利厚生 |
年収:550万円~1200万円 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 |
完全週休二日(土日) |
企業情報
| 業種 | メーカー(半導体・電気・電子部品) |
|---|---|
| 本社所在地 | 東京都港区芝浦1−1−1 東芝ビルディング |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/ |
人材紹介会社情報
この求人は紹介求人です。姉妹サイトイーキャリアFAへの応募になります
| 人材紹介会社名 | 株式会社パソナ |
|---|---|
| 厚生労働大臣許可番号 | 13-ユ-010444 |
| 紹介事業事業所・拠点 | ■東京本社 東京都港区南青山3-1-30 PASONA SQUARE ■大阪支店 大阪府大阪市北区梅田1丁目13-1 大阪梅田ツインタワーズ・サウス 24F ■名古屋支店 愛知県名古屋市中村区名駅1-1-4 JRセントラルタワーズ46階 ■札幌支店 北海道札幌市中央区北5条西2-5 JRタワーオフィスプラザさっぽろ16F ■仙台支店 宮城県仙台市青葉区中央1-2-3 仙台マークワン18F ■岡山支店 岡山県岡山市北区駅元町1-6 岡山フコク生命駅前ビル11F ■広島支店 広島県広島市中区本通7-19 広島ダイヤモンドビル7F ■福岡支店 福岡市中央区天神2-8-35 天神住友生命FJビジネスセンター19階 |
| URL | https://www.pasonacareer.jp/ |
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