【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【採用背景】
AIやデータセンター需要の急増により、メモリデバイスには高性能化・高集積化が求められています。特に3Dメモリのさらなる大容量化・高性能化には、従来技術の限界を超える新たなブレークスルーが必要です。これらの課題にSimulationや試作を行いながら果敢に挑むことを望まれるチャレンジ精神に溢れたエンジニアを募集します。
これまであなたが半導体業界で培ってきたご経験がキオクシアでどう生かせるのか、選考を通してすり合わせていきましょう。

【組織のミッション】
当社の中核技術である3Dメモリ分野において、競合他社に対して技術的優位性を確保しつつ、物理的限界に挑む革新的な3Dメモリ構造・プロセス技術の開発を推進しています。大容量化と低コスト化・高性能化の両立という相反する要求に対し、技術的な突破口を切り開くことが本組織の使命です。

【お任せする業務】
次世代の3Dメモリに向けた新規技術の研究開発を担当いただきます。
新たなブレークスルー技術の探索、設計、試作、検証を通して、さらなる大容量化・高性能化の実現を実感できるチャレンジングな業務です。あなたの仕事が将来のAIやデータセンターを支えます。

【具体的な仕事内容】
■3Dメモリ向け新規技術の研究開発
■プロセスフローの設計・実装・検証・改善提案
■量産適用に向けた技術移管支援
■デバイス特性評価（電気特性、信頼性試験）および解析
■製造・設計・材料開発部門との連携による開発推進
■技術動向の調査および社内外への技術報告
■TCADを活用した、3Dメモリの設計・解析・最適化業務

※これまでのご経験にあわせて、弊社の研究開発で生かせるポジションを選考の中でご提案させていただきます。
これまでの半導体業界でのご経験をぜひ当社で生かしませんか。

【業務のやりがい・魅力】
・将来の3Dメモリに向けたコア技術の研究開発に直接関与することができ、自身のアイディアを具現化することが出来ます。
・材料選定からプロセス設計、デバイス評価まで一貫して携われるため、技術者としての専門性と総合力を高められます。
・製造・設計・品質など多部門と連携し、課題解決に取り組むことで、コミュニケーション力やプロジェクト推進力が養われます。
・新技術の導入や量産立ち上げに携わることで、技術の社会…

勤務地	三重県四日市市
給与	年収：550万円～1200万円経験・スキルに応じて変動します

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【採用背景】
AIの普及やポスト5G時代の到来に伴い、データセンターやIoT機器におけるメモリの消費電力低減は世界的な課題です。NAND型フラッシュメモリで世界トップクラスのシェアを誇るキオクシアでは、既存DRAMの課題を克服する「酸化物半導体トランジスタを用いた新規3Dメモリ（OCTRAM）」の研究開発を推進しています。世界最高峰の半導体学会「IEDM」で2年連続採択されるなど、技術的な優位性の確立に向けた取り組みを進めています。世界最大級の生産基盤を持つ当社だからこそ実現できる「次世代メモリの社会実装」に向け、開発を現場で力強く推進していただく即戦力エンジニアを募集します。

【組織のミッション】
・部門ミッション：高速メモリデバイスの研究開発フェーズを担当し、デバイス検証から製品開発（量産）フェーズへの移管を確実に実行する。
・グループミッション：新規3Dメモリ（OCTRAM）の研究開発において、デバイス検証・構造最適化を行い、製品開発フェーズへの円滑な移管を担う。
※当組織は、キオクシアが誇る世界最大級の四日市工場と直結し、「最先端の研究成果を確かな製品へと変える」という、事業の将来を左右する重要な橋渡しを担っています。

【お任せする業務】
酸化物半導体を用いた新規3Dメモリのデバイス設計、デバイス検討ロットの試作と形状および電気特性評価による特性改善および不良解析と信頼性の改善。

【具体的な仕事内容】
■デバイス設計：TCADを用いてシミュレーションを行い、試作Lotを作成・評価を行い、ターゲット特性を満たすデバイスを設計する
■構造・プロセス設計：新規3Dメモリのデバイス構造およびプロセスフローを検討・設計する
■試作検証：ユニットプロセス（成膜・リソグラフィー・エッチング）や回路設計・インテグレーション担当者と連携し、検討ロットを試作する
■評価・解析：試作チップの電気特性評価、パラメトリック解析、不良解析および信頼性評価を実施する
■改善・最適化：評価データに基づき課題を抽出・原因究明し、デバイス構造やプロセス条件の最適化を推進する
■製品開発移管：デバイスの完成度を高め、後続の製品開発フェーズへの技術移管を進める

【使用ツール】　
・SEMulator3D（構造・形状予測、モデリング）
・Senta…

勤務地	三重県四日市市
給与	年収：550万円～1200万円経験・スキルに応じて変動します

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【採用背景】
現在、AI需要の急増に伴い、メモリに対する高性能化や高集積化（大容量化）が求められています。このような市場環境の中で、インターフェイス速度の更なる高速化が求められており、それらを実現するためにCMOSデバイスの高性能化が必要となっています。このため、即戦力となるCMOS開発経験のあるエンジニアを募集しています。

【組織のミッション】
今回の配属先は、最先端のCMOS技術の研究・開発を通じて、高性能かつ低消費電力の半導体デバイスを実現し、新メモリの製品競争力の向上に貢献します。また、材料選定からプロセスインテグレーション、デバイス設計までを行い、開発体制を構築し、技術革新を推進します。

【お任せする業務】
・新規メモリ周辺CMOS技術開発（デバイス、プロセスインテグレーション）

【具体的な仕事内容】
・新規メモリ向けCMOS高性能化・低消費電力化・信頼性向上
・新規プロセスフロー向けレイアウト設計、実装、検証および改善提案
・デバイス特性評価（電気特性、信頼性試験など）および解析
・新材料導入に伴うプロセスフローの立案と検証
・他部門（設計、製造、品質管理）との連携による問題解決およびプロジェクト推進
・最新技術動向の調査および社内外への技術報告

【使用ツール】
Excel、Word、PowerPoint
Python（必須ではない）

【業務のやりがい・魅力】
新規メモリにおけるCMOS性能向上に向けた開発に貢献できます。また、材料選定からプロセスインテグレーション、デバイス設計まで幅広い工程に関わるため、技術者としての専門性と総合力を高められます。製造現場や設計部門など多様なチームと連携しながら課題解決に取り組むため、コミュニケーション力やプロジェクトマネジメント能力も磨けます。また、グローバルな技術動向をキャッチアップしながら、世代を進めて研究開発を行っていきます。その過程において、会社の競争力強化に寄与することができ、自身の成長を感じることができる環境です。

【技術優位性】
新規メモリ向け技術開発において業界をリードする技術力を有しています。独自のプロセス技術と高度な材料評価技術を融合させることで、微細化に伴う課題を克服し、新しいメモリを世の中に出すため、研究開発を行っています。当グループはお…

勤務地	三重県四日市市
給与	年収：550万円～1200万円経験・スキルに応じて変動します

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【採用背景】
フラッシュメモリ製品の多様化・高性能化に伴い、パッケージ技術への要求は年々高度化しています。特にスマートフォンやウェアラブル機器向けには小型・高密度化、生成AIサーバー向けSSDには大容量・高速化が求められ、技術的な難易度は急速に上昇しています。これらのニーズに応えるため、製品立ち上げを牽引できる技術者の確保が急務となっており、プロセス・材料・装置のいずれかに強みを持ち、量産化までを見据えた開発を推進できる人材を募集します。

【組織のミッション】
当部門は、フラッシュメモリ製品のパッケージ技術開発を担う中核組織です。材料・プロセス・装置の各技術領域において、製品仕様に応じた最適技術の確立と量産へのスムーズな移行をミッションとしています。
また、内製ラインを含む製造拠点に対して、技術的な標準化・品質管理の強化を推進しています。

【お任せする業務】
SSDを含む各種フラッシュメモリ製品のパッケージ開発および製品立ち上げに関する業務を担当いただきます。
具体的には、組立工程におけるプロセス条件の設計・検証、材料仕様の選定・評価、装置仕様の策定・導入などを通じて、製品の品質・信頼性・生産性・コストの最適化を図ります。
また、製品仕様に応じた技術要素の統合（インテグレーション）を行い、開発から量産までの技術的な橋渡し役として活躍いただきます。

【具体的な仕事内容】
■プロセス・材料・装置開発
・プロセス開発
└各組立工程におけるプロセス条件の立ち上げおよびマージン検証
└海外生産拠点への技術指導および技術移管支援

・材料開発
└材料仕様の策定および組立性評価計画の立案・実行
└材料メーカーとの技術交渉・仕様調整

・装置開発
└装置仕様の策定および装置メーカーとの協業による立ち上げ
└稼働率・Index（工程指標）・作業性等に関する改善提案と実行

■パッケージ開発インテグレーション
・パッケージ組立に必要なプロセス・材料の選定と技術的難易度の評価
・試作を通じたプロセス・材料の技術成熟度および課題の抽出
・中長期的に必要となるプロセス・材料の技術課題の先行抽出・評価
・海外生産拠点への開発指示、進捗管理、技術移管の状況評価

【業務のやりがい・魅力】
・スマートフォンやAIサーバーなど、社会インフラを支える製…

勤務地	三重県四日市市
給与	年収：550万円～1200万円経験・スキルに応じて変動します

自動車用電子ユニット＊の機能実現に必要不可欠となるプリント基板の設計業務および関係業務

＊電子ユニットの一例
　　・最先端電子制御ユニット（ECU）
　　・電源分配ユニット（JB）
　　・電源制御ユニッ（バックアップ電源）
　　・その他

入社後のキャリアイメージ

入社後は当社事業内容や所管製品に関する基礎を学んでいただきます。その後、先輩社員のサポートを受けながら、経験値に応じた特定アイテムのプリント基板設計を自己完結型で推進いただきます。（業務遂行に必要な教育プランや設計ルールを整備）将来はリーダーとして、後輩育成や組織管理に挑戦いただくことを期待しています。

採用背景・ＰＲ情報

・自動車業界は大変革期を迎え、　当社の製品開発は年々高度化が　進み、これまで以上のスピードが求められるようになりました。
・当社の事業拡大の計画とともに様々な変化に対する課題を一緒に解決する仲間を探しています。
・多製品を横断する設計チームのため幅広い人脈形成が可能、ヒューマンスキルを重要視します。

勤務地	三重県四日市
給与	年収：500万円～750万円経験・スキルに応じて変動します

【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【組織ミッション】
SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体（SiC）に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。

【業務内容】
パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発

具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発
・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計
・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化

【業務のやりがい・魅力】
・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます
・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます
・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます
・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます
・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

【採用背景】
カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。

【組織構成】
20代～50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。

【開発ツール】
・Star-CCM（流体解析）
・ANSYS（応力設計）

【関連キーワー…

勤務地	三重県いなべ市大安町門前
給与	年収：550万円～1400万円経験・スキルに応じて変動します