【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【組織ミッション】
SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体（SiC）に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。

【業務内容】
パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発

具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発
・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計
・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化

【業務のやりがい・魅力】
・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます
・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます
・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます
・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます
・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

【採用背景】
カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。

【組織構成】
20代～50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。

【開発ツール】
・Star-CCM（流体解析）
・ANSYS（応力設計）

【関連キーワー…

勤務地	三重県いなべ市大安町門前
給与	年収：550万円～1400万円経験・スキルに応じて変動します