具体的な業務内容
【業務内容】
■半導体前工程のプロセス開発
・SiCパワー半導体の生産性改善業務
・新規設備立上げ業務
・欠陥率低減、均一性改善業務
【募集背景】
■SiC事業の需要増加に伴う生産能力拡大、およびデバイス性能の高性能化実現に向けた体制強化
垂直統合型を強みとしてSiC事業を拡大しており、さらなる体制強化を図っていきたいと考えております。
【ポジションの魅力】
同社はSiC事業に注力しており、積極的に事業拡大を行っています。
若いメンバーも多く、非常に活気あふれた職場環境です。
また技術の進化や生産性などの改善による効果が非常に大きいため積極的にチャレンジできる環境です。
当部門は国内の前工程工場の横串部門で、工場と事業部の間を取り持ち品質改善や歩留まり改善を行っております。
半導体の前工程の様々なプロセスに携わることが可能な為、技術をもっと深掘りしていく、幅広い経験を積みジェネラリストを目指す、等ご本人の興味に合わせて、キャリアを選択できる環境があります。
【強み】
■ロームは、パワーデバイス分野において、Siを素材とした高耐圧のトランジスタ(MOSFET、IGBT)やダイオード(SBD、FRD)だけでなく、SiCを素材としたトランジスタ(SiC MOSFET)やダイオード(SiC SBD)の開発に強く取り組んでいます。中でもSiCデバイスは、2010年にSiC MOSFETの世界初量産を開始して以来、現在に至るまでSiCデバイスの技術と製品で業界をリードし続けています。
■SiCウェハの製造から、新たなデバイス構造、製造プロセス、パッケージ、品質管理の手法まで、SiCデバイスの進化に欠かせない技術を自社で開発する一貫生産体制を取っているロームだからこそ、業界に先駆けて高品質のSiCデバイスを開発することができます。
募集条件
雇用形態 | 正社員 |
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求める人物像 |
【必須要件】 ■半導体前工程のプロセス開発経験 【歓迎要件】 ■プラズマエッチングプロセス経験者、または薄膜プロセス経験者 ■SiCのエピタキシャルプロセスや成長装置に関するご経験 ■マネジメント経験 【求める人物像】 ■困難な状況でも、あきらめずやり遂げることができる人物。 ■課題に対して論理的に考え、打開策を見出し進めることができ人物。 |
勤務地 |
福岡県筑後市大字上北島 |
給与・待遇・福利厚生 |
年収:450万円~1000万円 経験・スキルに応じて変動します |
休日・休暇 |
完全週休二日(土日) |
企業情報
業種 | メーカー(半導体・電気・電子部品) |
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本社所在地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
設立 | 1958年9月17日 |
従業員数 |
1000人以上 |
売上高 | 359,802,000,000円 |
URL | http://www.rohm.co.jp/ |
人材紹介会社情報
この求人は紹介求人です。姉妹サイトイーキャリアFAへの応募になります
人材紹介会社名 | 株式会社パソナ ハイキャリア転職支援 |
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厚生労働大臣許可番号 | 13-ユ-010444 |
紹介事業事業所・拠点 | ■東京本社 東京都港区南青山3-1-30 PASONA SQUARE ■大阪支店 大阪府大阪市中央区道修町4-1-1 武田御堂筋ビル2F ■名古屋支店 愛知県名古屋市中区栄3-6-1栄三丁目ビルディング(ラシック)10F |
URL | https://www.pasonacareer.jp/ |