具体的な業務内容
新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発、製品化業務を行って頂きます。
【具体的な業務内容】
■酸化物半導体デバイスの開発
■酸化物半導体デバイスを用いた新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発
1.デバイス特性の原理構築(物理の解明)
酸化物半導体メモリの基本動作特性を物理層から解明し、メモリ素子としての動作を確立
2.酸化物半導体素子のモデル化と最適化
TCAD解析を用いた高度なシミュレーションと試作結果の突合による素子構造/プロセスの最適化
3.デザインルールの策定(設計ルール定義)
将来の量産を見据え、安定的なデバイス構造の考案と設計ルールの定義
4.グローバルプレゼンスの確立
ISSCCやIEDMなどの国際学会を見据えた、世界最先端のテクニカルデータの創出
※使用ツール※
■電気特性測定:DCテスター、メモリテスター
■物理・故障解析:発光解析装置
■データ解析・可視化:統計的解析ツール(Spotfire)
■自動化・高度解析:Python
※ステークホルダー/関係者※
先端技術研究所内やその関係部署のプロセス開発、回路設計、信頼性評価、プロジェクトマネージャーと密に連携しております。研究開発と製品化の橋渡しを担う、非常に裁量の大きな環境です。
【組織のミッション】
■組織全体:新規デバイス、新規メモリ開発を進め、キオクシアの将来の事業の柱となるデバイスを研究開発していく組織です。
【募集背景】
3Dフラッシュメモリおよび新規メモリの開発を行っているキオクシアは、酸化物半導体トランジスタを用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術を開発いたしました。この技術は、AIやポスト5G情報通信システムで利用される大規模メインメモリが搭載されるサーバーやIoT製品などの幅広いアプリケーションにおいて低消費電力化を実現する可能性がございます。今般は、特に新規メモリの開発において、メモリ素子動作および特性を熟知したデバイスエンジニアを必要としています。このため、メモリ開発経験のあるデバイス技術者を募集いたします。共に業務に邁進頂ける方の応募をお待ちしております。
【ポジションの魅力】
■既存のSi(シリコン)上デバイスとは異なる領域で培った「新規デバイス開発能力」は、次世代の半導体業界において、ご自身の圧倒的な希少価値(自己実現)へと繋がります。
■酸化物半導…
募集条件
| 雇用形態 | 正社員 |
|---|---|
| 求める人物像 |
【必須要件】 ■酸化物半導体の知見 ■酸化物半導体を用いたデバイス開発の経験、知見 ■酸化物半導体を用いたメモリ開発の経験、知見 【歓迎要件】 ▼語学力(英語もしくは中国語) |
| 勤務地 |
三重県四日市市 |
| 給与・待遇・福利厚生 |
年収:550万円~1200万円 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 |
完全週休二日(土日) |
企業情報
| 業種 | メーカー(半導体・電気・電子部品) |
|---|---|
| 本社所在地 | 東京都港区芝浦1−1−1 東芝ビルディング |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/ |
人材紹介会社情報
この求人は紹介求人です。姉妹サイトイーキャリアFAへの応募になります
| 人材紹介会社名 | 株式会社パソナ |
|---|---|
| 厚生労働大臣許可番号 | 13-ユ-010444 |
| 紹介事業事業所・拠点 | ■東京本社 東京都港区南青山3-1-30 PASONA SQUARE ■大阪支店 大阪府大阪市北区梅田1丁目13-1 大阪梅田ツインタワーズ・サウス 24F ■名古屋支店 愛知県名古屋市中村区名駅1-1-4 JRセントラルタワーズ46階 ■札幌支店 北海道札幌市中央区北5条西2-5 JRタワーオフィスプラザさっぽろ16F ■仙台支店 宮城県仙台市青葉区中央1-2-3 仙台マークワン18F ■岡山支店 岡山県岡山市北区駅元町1-6 岡山フコク生命駅前ビル11F ■広島支店 広島県広島市中区本通7-19 広島ダイヤモンドビル7F ■福岡支店 福岡市中央区天神2-8-35 天神住友生命FJビジネスセンター19階 |
| URL | https://www.pasonacareer.jp/ |
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