【パソナキャリア経由での入社実績あり】
【採用背景】
AIの普及やポスト5G時代の到来に伴い、データセンターやIoT機器におけるメモリの消費電力低減は世界的な課題です。NAND型フラッシュメモリで世界トップクラスのシェアを誇るキオクシアでは、既存DRAMの課題を克服する「酸化物半導体トランジスタを用いた新規3Dメモリ（OCTRAM）」の研究開発を推進しています。世界最高峰の半導体学会「IEDM」で2年連続採択されるなど、技術的な優位性の確立に向けた取り組みを進めています。世界最大級の生産基盤を持つ当社だからこそ実現できる「次世代メモリの社会実装」に向け、開発を現場で力強く推進していただく即戦力エンジニアを募集します。

【組織のミッション】
・部門ミッション：高速メモリデバイスの研究開発フェーズを担当し、デバイス検証から製品開発（量産）フェーズへの移管を確実に実行する。
・グループミッション：新規3Dメモリ（OCTRAM）の研究開発において、デバイス検証・構造最適化を行い、製品開発フェーズへの円滑な移管を担う。
※当組織は、キオクシアが誇る世界最大級の四日市工場と直結し、「最先端の研究成果を確かな製品へと変える」という、事業の将来を左右する重要な橋渡しを担っています。

【お任せする業務】
酸化物半導体を用いた新規3Dメモリのデバイス設計、デバイス検討ロットの試作と形状および電気特性評価による特性改善および不良解析と信頼性の改善。

【具体的な仕事内容】
■デバイス設計：TCADを用いてシミュレーションを行い、試作Lotを作成・評価を行い、ターゲット特性を満たすデバイスを設計する
■構造・プロセス設計：新規3Dメモリのデバイス構造およびプロセスフローを検討・設計する
■試作検証：ユニットプロセス（成膜・リソグラフィー・エッチング）や回路設計・インテグレーション担当者と連携し、検討ロットを試作する
■評価・解析：試作チップの電気特性評価、パラメトリック解析、不良解析および信頼性評価を実施する
■改善・最適化：評価データに基づき課題を抽出・原因究明し、デバイス構造やプロセス条件の最適化を推進する
■製品開発移管：デバイスの完成度を高め、後続の製品開発フェーズへの技術移管を進める

【使用ツール】　
・SEMulator3D（構造・形状予測、モデリング）
・Senta…

勤務地	三重県四日市市
給与	年収：550万円～1200万円経験・スキルに応じて変動します