溶液法で成長した SiC インゴットを外周研削～エピレディウェハまで仕上げる量産加工プロセスの開発業務

* 大口径 SiC ウェハ用量産ラインの開発
* 加工条件・切断条件の最適化、加工精度向上、研磨材開発による工数削減
* 溶液法における SiC 結晶評価技術の確立
* 量産製造プロセス構築に必要な技術開発
* 新規製造ラインの立ち上げなどにチャレンジしたい方

配属先：次世代半導体 加工開発 Gr

採用背景：組織能力強化

勤務地	栃木県鹿沼市
給与	年収：600万円～1000万円経験・スキルに応じて変動します

配属： エレクトロニクス事業部 ファンドリーサービス部 プロセス技術課

■ 募集背景
案件増加に伴い、加工件数の拡大に対応するための増員募集です。 あわせて退職者の補充も兼ね、体制強化を図ります。

■ ポジション概要
半導体関連の材料に対して、「研磨（磨く）」「接合（くっつける）」といった加工を行うポジションです。 単なる作業ではなく、加工条件を考えながら進める技術職です。

■ 業務内容
?半導体基板材料の研磨加工・接合加工
?加工条件（回転数・圧力・時間など）の検討・調整
?加工結果の評価・記録（仕上がり状態の確認など）
?加工レポートの作成
?必要に応じた顧客との仕様打合せ・技術的なやり取り
※クリーンルーム内での作業が中心です ※基礎的な加工はOJTで習得できます

■ ポジションの魅力
?半導体分野の加工技術（研磨・接合）を基礎から身につけられる
?条件出しや評価など、エンジニアリング要素にも関われる
?案件ごとに異なる材料・条件を扱うため、技術の幅が広がる
?将来的にプロセス改善や標準化にも関与可能

勤務地	栃木県鹿沼市
給与	年収：300万円～450万円経験・スキルに応じて変動します