具体的な業務内容
【パソナキャリア経由での入社実績あり】
こんな仲間を探しています!
車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。
【業務内容】
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・ウェハガス成長法の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
【業務のやりがい・身につくスキル、技術優位性、製品の強み・魅力】
・SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てます。
・中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能です。
・大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができます。
【募集背景】
ミライズテクノロジーズでは、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できるやりがいの持てる職場で一緒に汗を流してみませんか?
【職場情報】
パワエレ第2研究開発部は、xEV用インバータや電源関連製品に使われるパワー半導体の材料、デバイス、実装、回路、制御など幅広い技術を研究対象としています。この分野はワールドワイドで競争が激化していますが、ミライズの垂直統合型の研究を活かして他社と差別化した競争力のあるパワエレ技術の創出を目指しています。その中でパワー半導体材料、デバイス研究においては、SiCの結晶成長技術でミライズが唯一成功しているガス成長法の研究開発や、GaN、酸化ガリウム及びダイヤモンドなどの新規ワイドバンドギャップ半導体のR&Dを行っています。国内の大学や新材料のトップ…
募集条件
| 雇用形態 | 正社員 |
|---|---|
| 求める人物像 |
【必須要件】 ■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル) ■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有すること 【歓迎要件】 ■第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 ■エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験(5年以上) ■ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験(5年以上) |
| 勤務地 |
愛知県日進市 |
| 給与・待遇・福利厚生 |
年収:550万円~1500万円 経験・スキルに応じて変動します |
| 休日・休暇 |
完全週休二日(土日) |
企業情報
| 業種 | メーカー(自動車・輸送機器関連) メーカー(重電・産業用電気機器) |
|---|---|
| 本社所在地 | 愛知県刈谷市昭和町1−1 |
| 設立 | 1949年12月16日 |
| 従業員数 |
1000人以上 |
| 売上高 | 2,292,906,000,000円 |
| URL | http://www.denso.co.jp/ja/ |
人材紹介会社情報
この求人は紹介求人です。姉妹サイトイーキャリアFAへの応募になります
| 人材紹介会社名 | 株式会社パソナ |
|---|---|
| 厚生労働大臣許可番号 | 13-ユ-010444 |
| 紹介事業事業所・拠点 | ■東京本社 東京都港区南青山3-1-30 PASONA SQUARE ■大阪支店 大阪府大阪市北区梅田1丁目13-1 大阪梅田ツインタワーズ・サウス 24F ■名古屋支店 愛知県名古屋市中村区名駅1-1-4 JRセントラルタワーズ46階 ■札幌支店 北海道札幌市中央区北5条西2-5 JRタワーオフィスプラザさっぽろ16F ■仙台支店 宮城県仙台市青葉区中央1-2-3 仙台マークワン18F ■岡山支店 岡山県岡山市北区駅元町1-6 岡山フコク生命駅前ビル11F ■広島支店 広島県広島市中区本通7-19 広島ダイヤモンドビル7F ■福岡支店 福岡市中央区天神2-8-35 天神住友生命FJビジネスセンター19階 |
| URL | https://www.pasonacareer.jp/ |
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